Film di Ge di tipo P da 4" su wafer di silicio di tipo N, spessore 0,5 um - FmGePtypeonSiNtypea101D05C1US

Specifiche:

• Wafer di silicio
• Tipo: N/P drogato
• Orientamento: (100)
• Dimensioni: 4'' dia
• Spessore: 500 - 550 um
• Grado: Primo
• Lamelle: 2 SEMI-STD su Asse 0 gradi off
• Retro: Mordenzatura
• Particelle: < 50 @ >0,20 um
• Resistività: 1-10 ohm.cm
• TDD: <1E8 cm^2

• Film: Ge epi-film 
• Spessore: 0,5 um +/- 3%
• Orientamento: (100)
• Tipo: Tipo P 
  
• Concentrazione di drogante: ~1E19 /cc
• Corrente RMS spec: Ra < 2 nm

Prodotti correlati

Film sottili A-Z	Wafer di cristallo A-Z	Pulitore al plasma	Contenitori per wafer	Sega per cubettatura	Rivestitore di film