Pellicola epi-film di Ge di tipo N da 4" su wafer di silicio di tipo N, spessore 0,5 um - FmGeNtypeonSiNtypea101D05C1US

Specifiche:

• Wafer di silicio
• Tipo: N/P drogato
• Orientamento: (100)
• Dimensioni: 4'' dia
• Spessore: 500 - 550 um
• Grado: Primo
• Lamelle: 2 SEMI-STD su Asse 0 gradi off
• Resistività: 1-10 ohm.cm
• Retro: Mordenzatura
• Particelle: < 50 @ >0,20 um
• TDD:  <1E8 cm^2

• Pellicola: Ge epi-film 
• Spessore: 0,5 um +/- 3%
• Orientamento: (100)
• Tipo: Tipo N 
  
• Concentrazione di drogante: ~5E18 /cc
• Corrente RMS spec: Ra < 2 nm

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