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Oblea de Si (100), 4" diá. x 0,5 mm, 1SP, tipo N, sin dopar con resistividades:> 10.000 ohm-cm

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Oblea de Si (100), 4" dia x 0,5 mm, 2SP, tipo N , Sin dopar con resistividades: >15.000 ohm-cm

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Oblea de Si (100), 4" diá. x 0,5 mm, 2SP, tipo N, sin dopar, resistividades: > 1000 ohm-cm - SiUa101D05C2R1000

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Oblea de Si (100), 4" dia x 0,5 mm, 2SP,tipo N, Sin dopar con resistividades: >10.000 ohm-cm

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Oblea de Si (100), 4 "dia x 0.525 mm, 1SP, Tipo N, P dopado, Resistividades: 1-10 ohm-cm - SiPa101D05C1R1US

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Oblea de Si (100), 5 " dia x 0.625mm, 1SP tipo N ,P- dopado, R:1-10 ohm-cm,

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Oblea de Si (100), 6 " dia x 0,65 - 0,7 mm, 1SP tipo P (B dopado) con resistividades: 1-30ohm-cm - SIBa152D0675C1R1US

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Oblea de Si (100), tipo N, dopada con P, 2" diá. x 0,3-0,35 mm, 1SP, R:1-10 ohm.cm-1

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Oblea de Si (100), tipo N, dopada con P, 2" diá. x 0,5 mm, 1SP, R:1-10 ohm.cm

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Oblea de Si (100), tipo N, dopada con P, 2" diá. x 0,5 mm, 2SP, R:1-10 ohm.cm

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Oblea de Si (110) 2" dia x 0.5 mm t, 1SP, FZ, Sin dopar, resistividades: >1.000 ohm-cm - SiUe50D05C1R1000

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Si Wafer (110) 2" dia x 0.5 mm t, 2SP, tipo P, B dopado, R:8-12 ohm-cm

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Si Wafer (110) 2" dia x 0.5 mm, 1SP, tipo P, B dopado,R:1-10 ohm-cm

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Oblea de Si (110) 2" diá. x 0,5 mm, 2SP, tipo P, dopada con B, R:0,01-1,0 ohm-cm - SIBe50D05C2R001

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Oblea de Si (110) 3 " dia x 0,5 mm, 1sp tipo P, dopada con B, resistividad: 1-10 ohm-cm

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Si Wafer (110), 2" dia x 0.5 mm t, 2SP, tipo P/ B dopado, R:0.1-1.0ohm-cm

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Oblea de Si (110), 2" diá. x 0,5 mm, 1SP, tipo N, dopada con P, R: 1-10 ohm-cm

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Oblea de Si (110), 2" diá. x 0,5 mm, 2SP, tipo N, dopada con P R:0,05-0,5 ohm.cm

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Oblea de Si (110), 3 "dia x 0,5 mm, 1sp, tipo N, dopada con P, resistividad: 1-10 ohm-cm - SIPe76D05C1R1

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Oblea de Si (110), 4" dia x 0,5 mm, 1SP, Tipo N (sin dopar, FZ R>1000 ohm-cm)