Cargando...
MTI | SKU:
GAUa101005S1US
GaAs , Método de crecimiento: VGF ,(100) no dopado Semi-Insulado 10x10 x0.5 mm, 1SP
Precio normal
€67,85
Precio unitario
/
Agotado
No se ha podido cargar la disponibilidad de recogida
Entrega y envío a la UE
Entrega y envío a la UE
Añadiremos en el presupuesto los gastos de envío, seguro y despacho de aduanas.
GaAs , Método de crecimiento: VGF ,(100) no dopado Semi-Insulado 10x10 x0.5 mm, 1SP
MTI
- Oblea monocristalina de GaAs
- Método de crecimiento: VGF
- Orientación: (100)
- Tamaño: 10x10 x 0.5mm
- Pulido: una cara pulida
- Ra(Rugosidad media) : < 0,4 nm
- Dopaje: no dopado
- Tipo de conductor: Semi-aislante
- Resistividad: (0,65-3,24)E8 Ohm.cm
- Movilidad: 4700-5630cm^2/v.s.
- EPD: <5000/cm2
Productos relacionados
