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MTI | SKU:
GAUa101006S1US
GaAs , Método de crecimiento: VGF ,(100) no dopado Semi-Insulado 10x10 x0.6 mm, 1SP
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GaAs , Método de crecimiento: VGF ,(100) no dopado Semi-Insulado 10x10 x0.6 mm, 1SP
MTI
- Oblea monocristalina de GaAs
- Método de crecimiento: VGF
- Orientación: (100)
- Tamaño: 10x10 x 0.6mm
- Pulido: una cara pulida
- Ra(Rugosidad media) : < 0,4 nm
- Dopaje: no dopado
- Tipo de conductor: Semi-aislante
- Resistividad: (0,6-1,1)E8 Ohm.cm
- Movilidad: 5870-6120 cm^2/v.s.
- EPD: <5000/cm2
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