MTI  |  SKU: GAUa100505S2US

GaAs , Método de crecimiento: VGF ,(100) no dopado Semi-Insulado 10x5 x0.5 mm, 2SP

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GaAs , Método de crecimiento: VGF ,(100) no dopado Semi-Insulado 10x5 x0.5 mm, 2SP

MTI

    • Oblea monocristalina de GaAs
    • Método de crecimiento: VGF
    • Orientación: (100)
    • Tamaño: 10x5 x 0.5mm
    • Pulido: dos caras pulidas;
    • Ra(Rugosidad media) : < 0,4 nm
    • Dopado: no dopado
    • Tipo de conductor: Semi-aislante
    • Resistividad: (0,6-2,0)E8 Ohm.cm
    • Movilidad: 5350-6380 cm^2/v.s.
    • EPD: <5000/cm2

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