Oblea de GaAs , Método de crecimiento: VGF, (100) no dopadas Semi-Insuladas 2 "D x0.5 mm, 2SP, Grado Mecánico
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Oblea de GaAs , Método de crecimiento: VGF, (100) no dopadas Semi-Insuladas 2 "D x0.5 mm, 2SP, Grado Mecánico
MTI
Oblea de cristal único de GaAs, grado mecánico
Método de crecimiento: VGF
Orientación: (100)
Tamaño: 2" dia x 0.5mm
Pulido: dos caras pulidas
Oblea NO EPI Ready
Dopaje: no dopado
Tipo de conductor: Semi-aislante
Resistividad: N/A
Movilidad: N/A
EPD: N/A
Plano primario: EJ(0-1-1)
Longitud plano primario: 17 +/- 1 mm
Plano secundario: EJ(0-11)
Longitud delplano secundario: 7 +/- 1 mm
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