MTI  |  SKU: GAUa76D05C1US5

Oblea de GaAs , Método de crecimiento: VGF, (100) no dopadas Semi-Insuladas 3 "D x0.5 mm, 1SP

Precio normal €412,85


Entrega y envío a la UE

Añadiremos en el presupuesto los gastos de envío, seguro y despacho de aduanas.

Oblea de GaAs , Método de crecimiento: VGF, (100) no dopadas Semi-Insuladas 3 "D x0.5 mm, 1SP

MTI

Oblea de cristal único de GaAs
Método de crecimiento: VGF
Orientación: (100)
Tamaño: 3" dia x 0.5mm
Pulido: una cara pulida
Dopaje: no dopado
Tipo de conductor: Semi-aislante
Resistividad: (1,35-4,21)x10^8Ohm.cm
Movilidad: 4360-5640cm^2/V.S
EPD: <5000cm^-2
Plano primario: EJ(0-1-1)
Plano secundario: EJ(0-11)
Ra(Rugosidad media) : < 0,4 nm



Productos relacionados