Oblea de GaAs , Método de crecimiento: VGF, (100) no dopado Semi-Aislado 4 "D x 0.6mm, 2SP, Grado Mecánico
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Oblea de GaAs , Método de crecimiento: VGF, (100) no dopado Semi-Aislado 4 "D x 0.6mm, 2SP, Grado Mecánico
MTI
Oblea monocristalina de GaAs, grado mecánico
Método de crecimiento: VGF
Orientación: (100)
Diámetro: 4" dia
Espesor: 0.6 mm +/- 0.05 mm
Pulido: dos caras pulidas;
Oblea NO EPI Ready
Dopado: no dopado
Tipo de conductor: Semi-aislante
Resistividad: N/A
Movilidad: N/A
EPD: N/A
PrimPrimary Flat: EJ(0-1-1)
Plano menor: EJ(0-11)
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