Sustrato de Ge (110)+/- 0,7 grados 10x10x 0,5 mm, 1 SP, dopado con Sb ,R:0,1-0,5 ohm.cm

Especificaciones

• Método de cultivo: CZ
• Tamaño de la oblea: 10x10x0,5 mm
• Pulido superficial: pulido óptico por un lado
• Orientación: (110) +/- 0,7 grados
• Acabado superficial (RMS o Ra) : < 30A
• Dopado: Dopado con Sb
• Tipo de conductor: Tipo N
• Resistividad: 0,1-0,5 Ohmios/cm
• EPD: N/A
• Embalaje: sala blanca de clase 1000 en contenedor de obleas
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