Ge Wafer Undoped (110) 3" dia x 0.5 mm 1 cara pulida resistividad: >50 ohm-cm

Especificación de obleas de Ge

• Método de cultivo: CZ
• Orientación: (110) +/_0.5 Deg.
• Tamaño de la oblea: 3" dia x 0.5 mm
• Pulido superficial: pulido óptico por un lado
• Acabado superficial (RMS o Ra) : < 30A
• Dopado: Sin dopar
• Tipo de conductor: Tipo N
• Resistividad: >50 ohmios/cm (Si desea medir la resistividad con precisión,
  pida nuestro Resistivímetro portátil de 4 sondas.)
• Embalaje: sala blanca de clase 1000 en contenedor para obleas
  
  

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