MTI  |  SKU: IASa101005S1

InAs (100), dopado con S 10x10x0,5mm, 1sp - IASa101005S1

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InAs (100), dopado con S 10x10x0,5mm, 1sp - IASa101005S1

MTI

  • Método de crecimiento LEC
  • Orientación (100)
  • Orientación Plana N/A
  • Dopado Dopado S
  • Tipo de conductividad Tipo N
  • Concentración de portadores 1x10E18 cmE-3
  • Movilidad 9000 cm2/V.S
  • Espesor estándar 0,5 mm
  • Tamaño estándar 10mm x 10mm
  • Pulido una cara



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