InAs (100), dopado con S 2" dia x 0,5 mm, una cara pulida,cc:(1-30)E17/ cm^3 - IASa50D05C1US

Oblea InAs de 2" (tipo N)

• Oblea de InAs de 2" (dopada con S, tipo N)
• Tamaño: 2" diá. x 500 micras +/-25 micras
• Orientación: <100> +/-0.⁵⁰
• Pulido: Pulido por una cara
• Embalaje: en sala blanca de clase 1000 con contenedor de obleas

Propiedades

• Método de crecimiento LEC
• Orientación(100) +/- 0,5 ^o
• Orientación Plana SEMI
• Dopado Dopado S
• Tipo de conductividad Tipo N
• Concentración de portadores (1-30)x10^17/ ^cm3
• EPD <50000 cm^-2
  
• Resistividad
  
• Movilidad: <10000 style="font-family: 'Times New Roman'; font-size: 11pt;"> cm^2/vs