InAs (100), No dopado 2" dia x 0.5mm, una cara pulida

Oblea InAs de 2" (tipo N)

• Oblea de InAs de 2" (sin dopar, tipo N)
• Tamaño: 2" diá. x 500 micras +/-25 micras
• Orientación: <100> +/-0.5⁰
• Pulido: pulido por una cara
• Embalaje: en sala blanca de clase 1000 con contenedor para obleas

Propiedades

• Método de crecimiento LEC
• Orientación (100) +/- 0,5 ^o
• Dopaje no dopado
• Tipo de conductividad Tipo N
• Concentración de portadores (1-3,0) x10^16/ cm³
• Movilidad ~20000 cm ²/Vs
• Resistividad >=1,0x10^-4 ohm.cm
• EPD <10000 / cm ²