MTI  |  SKU: IAUa30D05C1US

InAs (100), no dopado 30mm dia oblea 1sp - IAUa30D05C1US

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InAs (100), no dopado 30mm dia oblea 1sp - IAUa30D05C1US

MTI

  • Método de crecimiento LEC
  • Orientación (100) ± 0.5 Deg
  • Dopado Sin dopar
  • Tipo de conductividad Tipo N
  • Concentración portadora <3E16 / cm3
  • Movilidad >20000 cm2/V.S
  • EPD <5E4 / cm 2
  • Espesor estándar 500 ± 20 mm
  • Diámetro estándar 30 mm
  • Pulido una cara




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