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IAS411ellipes
InAs (411), S dopado oblea en forma de elipse (área >30mm dia) 1sp - IAS411ellipes
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InAs (411), S dopado oblea en forma de elipse (área >30mm dia) 1sp - IAS411ellipes
MTI
- Método de crecimiento LEC
- Orientación (411) ± 0.5 Deg
- Orientación Plana N/A
- Dopado S dopado
- Tipo de conductividad Tipo N
- Concentración portadora <7E17 ~ 1E18 / cm3
- Movilidad >10000 cm2/V.S
- EPD <2E4 / cm 2
- Espesor estándar 500 ± 20 mm
- Tamaño forma de elipse, (área > 30mm de diámetro)
- Pulido una cara
