MTI  |  SKU: IAS511ellipes

InAs (511), S dopado oblea en forma de elipse (área >30mm dia) 1sp - IAS511ellipes

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InAs (511), S dopado oblea en forma de elipse (área >30mm dia) 1sp - IAS511ellipes

MTI

  • Método de crecimiento LEC
  • Orientación (511) ± 0.5 Deg
  • Orientación Plana N/A
  • Dopado S dopado
  • Tipo de conductividad Tipo N
  • Concentración de portadores <7E17 ~ 1E18 / cm3
  • Movilidad >10000 cm2/V.S
  • EPD <2E4 / cm 2
  • Espesor estándar 500 ± 20 mm
  • Tamaño forma de elipse, (área > 30 mm de diámetro)
  • Pulido una cara


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