MTI  |  SKU: IPZna76D06C1US

InP, Método de crecimiento: VGF(100) dopado con Zn,3 " x 0,625mm, oblea, 1sp

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InP, Método de crecimiento: VGF(100) dopado con Zn,3 " x 0,625mm, oblea, 1sp

MTI

Oblea monocristalina InP
Orientación: (100)+/- 0,5 grados
Plano primario: US(01-1)+/-0,5 grados
Plano secundario: US(011)
Tamaño: 3" de diámetro x 0,625 mm
Método de cultivo: VGF
Dopado: Zn dopado
Tipo de conducción: S-C
Pulido: una cara pulida
Resistividad: (4,19-4,73)E-2 ohm.cm
Movilidad: 72-74 cmE2/V.S
EPD: <5000 /cmE2Carrier
Concerntration: (1.79-2.07)E18 /cmE-3
Ra(Rugosidad media) : < 0,4 nm

Superficie y empaquetadura listas para EPI




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