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MTI | SKU:
IPSna50D035C1US
InP-(VGF- Grown) (100) dopado con Sn, oblea de 2 "x0,35mm, 1sp
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InP-(VGF- Grown) (100) dopado con Sn, oblea de 2 "x0,35mm, 1sp
MTI
Oblea monocristalina de InP
Método de crecimiento: VGF
Orientación: (100)
Tamaño: 2" de diámetro x 0,35 mm
Dopado: Dopado con Sn
Tipo de conductor: S-C-N
Pulido: una cara pulida
Resistividad: (2,82-2,99)x10^-3 ohm.cm
Movilidad: 2170-2220 cmE2/V.S
EPD: <5000 /cmE2
Concerntración portadora: (9,62-9,99) x10^17 /cm^3
Ra(Rugosidad media) : < 0,4 nm
Orientación: (100)
Tamaño: 2" de diámetro x 0,35 mm
Dopado: Dopado con Sn
Tipo de conductor: S-C-N
Pulido: una cara pulida
Resistividad: (2,82-2,99)x10^-3 ohm.cm
Movilidad: 2170-2220 cmE2/V.S
EPD: <5000 /cmE2
Concerntración portadora: (9,62-9,99) x10^17 /cm^3
Ra(Rugosidad media) : < 0,4 nm
Superficie y empaquetado listos para EPI
