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IPUcA50D035C1US
InP-VGF cultivado (111)A sin dopar, oblea de 2 "x0,35 mm, 1sp
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InP-VGF cultivado (111)A sin dopar, oblea de 2 "x0,35 mm, 1sp
MTI
- Oblea monocristalina de InP
- Orientación: (111)A
- Tamaño: 2" de diámetro x 0,35 mm
- Dopaje: no dopado
- Tipo conductor: Tipo N, semiconductor
- Resistividad: (2,84-3,78)E^-1 ohm.cm
- Concentración de portadores:(4,04-5,62)E15 /c.c.
- Movilidad: 3910-4230 cm^2/v.s.
- Pulido: una cara pulida
- Ra(Rugosidad media) : < 0,4 nm
- EPD: imposible de medir debido a la orientación (111)A
- Superficie y empaquetado listos para EPI
