SGGG - Gd2.6Ca0.4Ga4.1Mg0.25Zr0.65O12, (111), 10x10x0.5mm, 1sp
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SGGG - Gd2.6Ca0.4Ga4.1Mg0.25Zr0.65O12, (111), 10x10x0.5mm, 1sp
MTI
SGGG monocristal, por ejemplo El granate de galio y gadolinio sustituido se cultiva por el método CZ. El sustrato SGGG es excelente para el crecimiento de películas epitaxiales de granate de hierro sustituido por bismuto.
- Composición: Gd2.6Ca0.4)Ga4.1Mg0.25Zr0.65O12
- Tamaño: 10 mm x 10 mm x 0,5 mm
- Orientación: (111) +/-0,5
- Pulido: pulido EPI por una cara
- Rugosidad superficial: < 10A por AFM área de 5x5 micras
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| Propiedades físicas del SGGG |
| Composición | Gd2.6Ca0.4)Ga4.1Mg0.25Zr0.65O12 |
| Estructura cristalina | Cúbica: a =12,480 Å , |
| MolecularwConstante dieléctricaight | 968,096 |
| Punto de fusión | ~1730 oC |
| Densidad | ~ 7,09 g/cm3 |
| Dureza | ~ 7,5 ( mohns) |
| Índice de refracción | 1,95 |
| Constante dieléctrica | 30 |
| Tangente de pérdida dieléctrica (10 GHz) | ca. 3.0 * 10_4 |
| Método de crecimiento de los cristales | Czochralski |
| Dirección de crecimiento del cristal | <111> |
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| DRX |  |
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