Sustrato de cristal A-Z

MTI

Oblea VGF-Ge(100) . 50 mmdia x 0,175 mm, 1SP, tipo P ( Ga dopado) R:0,008-0,021 Ohm.cm

MTI

Oblea VGF-Ge(100) . 100 mmdia x 0,175 mm, 2SP, tipo P ( dopado con Ga) R:0,1-0,182 ohm.cm

MTI

Oblea VGF-Ge(100) . 100 mmdia x 0,175 mm, 1SP, tipo P ( Ga dopado)

MTI

VGF-Ge Wafer (100) con 6 grados de desviación hacia <111>, 100 mm dia x 0.5 mm, 1SP, tipo P (Ga dopado), R: 0.3-0.33 Ohm.cm - GEGaa100D05C1deg6VGFR03US

MTI

VGF-Ge Wafer (100) 100mm dia x 0.5 mm, 2SP, tipo N ( As- dopado), R: 0.173-0.25 ohm.cm

MTI

VGF-Ge Wafer (100) 100mm dia x 0.5 mm, 1SP, N type ( As- doped), R: 0.088- 0.183ohm.cm

MTI

Orientación VGF-GaAs (100), dopado con Zn 10x10x0,625 mm, 1sp

MTI

Orientación VGF-GaAs (100), dopado con Si 5 x 5 x 0,5mm, 1sp

MTI

Orientación VGF-GaAs (100), dopado con Si 10x10x 0,5mm, 1sp

MTI

VGF-GaAs (100) tipo N Si dopado 2" dia x 0,5 mm, 1sp,cc:(0,63-1,17) x 10^18/cm^3

MTI

VGF InP (110) dopado con Fe, oblea de 2 "x0,5 mm, 2sp

MTI

VGF InP (100) dopado con Zn, 2" x 0,35mm, oblea, 1sp

MTI

VGF InP (100) no dopado,10x10x 0,35 mm oblea, 1sp

MTI

VGF InP (100) sin dopar, oblea de 2" x 0,35 mm, 2sp - IPUa50D035C2US

MTI

VGF InP (100) sin dopar, oblea de 2" x 0,35 mm, 1sp - IPUa50D035C1US

MTI

VGF InP (100) dopado con Fe, oblea de 2 "x0,35 mm, 1sp - IPFea50D035C1US

MTI

VGF -InP (100) no dopado 5x5x0,35mm,1sp

MTI

Sustrato SrTiO3 con superficie escalonada y terminación de Ti (100) 10x10x0,5mm, 1 SP - STOa101005S1StepUS

MTI

SrTiO3 Sustrato monocristalino ,(100)ori. 10x3x0,5mm, 1sp

MTI

SrTiO3 orientación(111) +/-0.1degree, con borde <110> por materiales de China,10x3x0.5 mm 1sp - STOc100305S1deg01