Célula con transistor de puerta electrolítica y montaje inferior - 15 ml, 0,2 cm²

Se trata de una célula electroquímica de solución estacionaria diseñada para medir las características de los transistores con puerta de electrolito (o con puerta de solución) utilizando electrolito líquido o en gel. La muestra de transistor que se va a medir puede fabricarse sobre un sustrato plano rígido o flexible (no incluido en el conjunto) con una fuente y un drenaje de película delgada conductora, y una capa de material de canal conductor o semiconductor. La muestra se coloca desde la parte inferior mediante un sistema de fijación magnético o con tornillos, mientras que la puerta se monta en una carcasa superior. También se puede montar un electrodo de referencia en la carcasa superior en caso de que sea necesario para controlar el potencial interfacial entre el canal y el electrolito o para realizar un pretratamiento electroquímico del material del canal. Se puede acceder a los electrodos de fuente y drenaje a través de aberturas en la carcasa inferior de la célula, utilizando sondas de aguja o pinzas cocodrilo sin dientes. Los elementos de la célula están fabricados con materiales inertes respecto a la muestra (vidrio, PEEK y fluorocarbonos). Se adapta perfectamente a los requisitos de los electrolitos acuosos (juntas tóricas de FKM/EPDM) y de disolventes orgánicos (juntas tóricas de FFKM). La estructura es estanca al gas y puede utilizarse cuando sea necesario eliminar y excluir contaminantes como el oxígeno y el agua mediante el burbujeo de un gas inerte a través del electrolito. Consulte aquí la demostración del montaje.

Nota
de aplicación: Esta célula está diseñada para los siguientes tipos de transistores controlados por electrolito: transistor de efecto de campo con puerta de electrolito (EG-FET), transistor de efecto de campo orgánico con puerta de electrolito (EGOFET), transistor electroquímico orgánico (OECT), transistor de efecto de campo sensible a iones (ISFET) y transistor de efecto de campo orgánico sensible a iones (ISOFET). Este sistema también puede utilizarse para medir las características de transistores con grafeno monocapa como conductor del canal. En este caso, la junta tórica limita convenientemente el área de interacción con el electrolito y los bordes del grafeno no generan una señal de fondo.
La punta del electrodo de referencia debe colocarse cerca del fondo de la cámara (3-5 mm), donde el electrodo de trabajo está expuesto al electrolito. Esto garantizará una caída de potencial insignificante a lo largo de la solución electrolítica para experimentos de baja corriente. Para esta célula son adecuados diversos electrodos de puerta, incluidos alambres metálicos y varillas de grafito, que pueden funcionalizarse adicionalmente con una membrana selectiva de iones, si fuera necesario. Antes del experimento debe detenerse el burbujeo de gas a través de la solución.

Especificaciones
: área de exposición nominal: 0,2 cm^² (diámetro exterior de la junta tórica: 5 mm, espesor de la junta: 1 mm; otros valores disponibles bajo pedido)
; volumen mínimo de electrolito: 3 ml
; volumen máximo de electrolito: 15 ml
; diámetro del conector del electrodo: 6 mm
; tamaño mínimo del sustrato: 10 mm x 10 mm

Datos
Intrastat: Código SA: 90309000
; país de origen: Suecia
; peso neto: 600 g

El producto incluye
: 1 tapa
, 1 cámara
de vidrio, 1 carcasa
inferior, 1 soporte
para muestras, 1 tapón

Ejemplos de disposiciones de fuente, drenaje y canal para el diseño de máscaras, pantallas y patrones disponibles bajo pedido (.pdf, .svg, .ai, etc.)

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