Célula H fotoelectroquímica con transistor de puerta electrolítica - Célula H fotoelectroquímica con transistor de puerta electrolítica

Se trata de una célula fotoelectroquímica H-Cell de doble compartimento, montada horizontalmente, diseñada para medir las características de los transistores con puerta de electrolito (o con puerta de solución) que cuentan con un material fotosensible en el canal, utilizando electrolito líquido o en gel en condiciones estacionarias. La muestra puede ser irradiada tanto vertical como horizontalmente. La muestra de transistor que se va a medir puede fabricarse sobre un sustrato plano rígido o flexible (no incluido en el equipo) con una fuente y un drenaje de película delgada conductora, y una capa de material de canal conductor o semiconductor. La muestra se coloca desde la parte inferior mediante una fijación atornillada en uno de los compartimentos, mientras que la puerta se monta en la carcasa superior del segundo compartimento. Los compartimentos están separados por una membrana de intercambio iónico (por ejemplo, la membrana Nafion® de DuPont), de modo que los productos electroquímicos que se generan en la puerta y en el material del canal no afectan al electrodo opuesto. También se puede utilizar un electrodo de referencia en caso de que sea necesario controlar el potencial interfacial entre el canal y el electrolito o realizar un pretratamiento electroquímico en el material del canal. Se puede acceder a los electrodos de fuente y drenaje a través de aberturas en la cámara, utilizando sondas de aguja o pinzas cocodrilo sin dientes. Los elementos de la célula están fabricados con materiales inertes respecto a la muestra (PEEK). Se adapta perfectamente a los requisitos de los electrolitos acuosos (juntas tóricas de FKM/EPDM) y de disolventes orgánicos (juntas tóricas de FFKM). La estructura es estanca al gas y puede utilizarse cuando sea necesario eliminar y excluir contaminantes como el oxígeno y el agua mediante el burbujeo de un gas inerte a través del electrolito. Consulte aquí la demostración del montaje.

Nota
de aplicación: Esta célula está diseñada principalmente para sensores de luz y puertas opto-lógicas basadas en los siguientes tipos de transistores con puerta electrolítica y material de canal fotosensible: transistor de efecto de campo con puerta electrolítica (EG-FET), transistor de efecto de campo orgánico con puerta electrolítica (EGOFET), transistor electroquímico orgánico (OECT), transistor de efecto de campo sensible a iones (ISFET) y transistor de efecto de campo orgánico sensible a iones (ISOFET). Para esta célula son adecuados diversos electrodos de puerta, incluidos hilos y mallas metálicas, así como varillas de grafito, que pueden funcionalizarse adicionalmente con una membrana selectiva de iones, si fuera necesario. El burbujeo de gas a través de la solución debe detenerse antes del experimento.

Especificaciones
: área de exposición nominal: 1 cm^² (otros valores disponibles bajo pedido)
; volumen máximo de electrolito: 15 ml (G) y 10 ml (S, D y canal)
; volumen mínimo de electrolito: 10 ml (G) y 10 ml (S, D y canal)
; diámetro del conector del electrodo: 6 mm
; tamaño mínimo del sustrato: 15 mm x 15 mm
; tamaño recomendado del sustrato: 25 mm x 25 mm
; espesor máximo del sustrato: 4 mm

Datos
Intrastat: Código SA: 90309000
. País de origen: Suecia
. Peso neto: 500 g

El producto incluye
: 1 tapa – 0001CPEMA
, 1 compartimento CE de 15 ml
, 2 manguitos
, 1 compartimento WE de 10 ml
, 2 soportes (muestra y ventana)
, 1 ventana
de cuarzo, 1 microtrípode
y 4 tapones – 0005CPEMA

Ejemplos de disposiciones de fuente, drenaje y canal para el diseño de máscaras/pantallas/patrones disponibles bajo petición (.pdf, .svg, .ai, etc.)

Productos
relacionados: electrodo auxiliar de alambre metálico – 50XH15 0,6/250 mm
; electrodo
de referencia Ag/AgCl; electrodo
de referencia Ag/Ag+ no acuoso; electrodo de varilla de grafito – GR 6/70 mm