Sustrato de cristal de Ga

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GaAs, Método de crecimiento: VGF ,(111)B , dopado con Zn, tipo P, 2" dia x 0.4 mm, 2sp

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GaAs, Método de crecimiento: VGF(100) dopado con Si, tipo N, 3" dia x 0.625mm, 2sp, Concentración de portador: (1.4-3.96) x 10^18 /cm^3 - GASia76D0625C2US5

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GaAs, Método de crecimiento: VGF(100) dopado con Si, tipo N, 4" dia x 0.625mm, 2sp, Concentración de portador: (1.47-3.78) x 10^18 /cm^3 - GASia100D06C2US5

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GaAs, VGF Grown (110) ori. Tipo N, dopado con Si, 10 x 5 x 0,3 mm, 2sp

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GaAs, VGF Grown (110) ori. Tipo N, dopado con Si, 10x10x0,3mm, 2sp

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GaAs, VGF Grown (110) ori. Tipo N, dopado con Si, 2" dia x 0.35mm, 1sp

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GaAs, VGF Grown (110) ori. Tipo N, dopado con Si, 5 x 5 x 0,3 mm, 2sp

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GaAs, VGF Grown (110) ori. no dopado, 10x10x0,5mm, 1sp

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GaAs, VGF Grown (110) ori. un-doped, Semi-Insulating, 20x20x0.5mm, 1sp

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GaAs, orientación VGF Grown (110), SI, sin dopar, 2" dia x 0.5mm, 1sp,

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GaAs, orientación VGF Grown (110), SI, sin dopar, 2" dia x 0.5mm, 2sp - GAUe50D05C2-US

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VGF-GaAs (100) tipo N Si dopado 2" dia x 0,5 mm, 1sp,cc:(0,63-1,17) x 10^18/cm^3

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Orientación VGF-GaAs (100), dopado con Si 10x10x 0,5mm, 1sp

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Orientación VGF-GaAs (100), dopado con Si 5 x 5 x 0,5mm, 1sp

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Orientación VGF-GaAs (100), dopado con Zn 10x10x0,625 mm, 1sp

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Ga2O3 - Beta, Sustrato monocristalino, <-201> ori, 10x10x0.6mm, 1SP - GaO101006C1ori201US5

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Sustrato monocristalino Ga2O3-Beta, <010>+/-1 grado ori, 10x10x0,35mm, 2SP, grado de investigación con "Twin".

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Sustrato monocristalino Ga2O3-Beta, <-201> ori, 5x5x0,6mm, 1SP

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Ga2O3-Beta Sustrato monocristalino, <100>+/-1 grado tipo N ,dopado con Sn 10x10x0.5mm, 1SP

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Sustrato monocristalino Ga2O3-beta, <010>+/-1 grado ori, 5 x 5 x 0,35mm, 2SP, grado de investigación con "Twin".