En sustrato de cristal

MTI

InSb (111)-B 2" diá. x 0,45 mm, dopado con Te, tipo N, 1 cara(Sb) pulida

MTI

InP - (VGF-Grown), (111)A, S dopado, 2" x 0.5mm wafer, 1sp - IPScA50D05C1US

MTI

InP, Método de crecimiento: VGF(100) dopado con Zn,3 " x 0,625mm, oblea, 1sp

MTI

InP-(VGF- Grown) (100) dopado con Sn, oblea de 2 "x0,35mm, 1sp

MTI

InP-(VGF- Grown) (100) S dopado, 2 "x0.5mm wafer, 1sp

MTI

InP-(VGF- Grown) (111)A Zn- dopado, tipo P, 2 "x 0.35mm wafer, 1sp - IPZncA50D035C1US

MTI

InP-VGF cultivado (111)A dopado con Fe, oblea de 2 "x0,35 mm, 1sp, semiaislante - IPFecA50D035C1US

MTI

InP-(VGF- Grown) (111)B S dopado, 2 "x0.35mm wafer, 1sp

MTI

InP-VGF cultivado (111)A dopado con Fe, oblea de 2 "x0,35 mm, 2sp, semiaislante

MTI

InP-VGF cultivado (111)B no dopado, oblea de 2 "x0,35 mm, 1sp

MTI

InP-VGF cultivado (111)A sin dopar, oblea de 2 "x0,35 mm, 1sp

MTI

InP-VGF- (100) S dopado, oblea 10x10x0,5mm, 2sp - IPSa101005S2US

MTI

InP-VGF crecido (111)B dopado con Fe, oblea de 2 "x0,35 mm, 1sp, semiaislante

MTI

VGF -InP (100) no dopado 5x5x0,35mm,1sp

MTI

VGF InP (100) dopado con Fe, oblea de 2 "x0,35 mm, 1sp - IPFea50D035C1US

MTI

VGF InP (100) sin dopar, oblea de 2" x 0,35 mm, 1sp - IPUa50D035C1US

MTI

VGF InP (110) dopado con Fe, oblea de 2 "x0,5 mm, 2sp

MTI

VGF InP (100) dopado con Zn, 2" x 0,35mm, oblea, 1sp

MTI

VGF InP (100) sin dopar, oblea de 2" x 0,35 mm, 2sp - IPUa50D035C2US

MTI

VGF InP (100) no dopado,10x10x 0,35 mm oblea, 1sp