Silica on Silicon(Thermal Oxide Wafer)

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Oblea de óxido térmico: Una cara 300 nm SiO2 Capa sobre Si (100), 4 "dia x 0.50 mm t,no dopado tipo N, 1SP R:>10000 ohm.cm

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Oblea de óxido térmico: 500 nm SiO2 Layer on Si (100), 4 "dia x 0.50 mm t, N-type ,P doped 1sp ,0.01-0.1 ohm.cm

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Oblea de óxido térmico: 50 nm SiO2 sobre Si (100), 5x5 x 0,5 mm, tipo N ,1SP dopado con P, R:0,01-0,05 ohm.cm

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Oblea de óxido térmico: 50 nm SiO2 Layer on Si (100), 2" dia x 0.30 mm t, N type , undoped, R>1000 ohm-cm

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Oblea de óxido térmico: 300nm SiO2 Layer on Si (100), 4 "dia x 0.5mm t, N-type, Sb-doped 1SP R: 0.01-0.02 ohm-cm - Fm300SOonSISba101D0525C1R001

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Oblea de óxido térmico: Capa de SiO2 de 300 nm sobre Si (111), 4 "dia x 0,525 mm t, tipo N, dopado con Sb 1SP R: 0,01-0,02 ohm.cm - Fm300SOonSISbc101D0525C1R001

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Oblea de óxido térmico: 300 nm SiO2 Layer on Si (111), 3 "dia x 0.50 mm t, N-type ,P-doped 1SP R:5-15 ohm.cm

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Oblea de óxido térmico: 300 nm SiO2 Layer on Si (100), 4 "dia x 0.525 mm t, N type, As-doped 1SP, R:0.001-0.005 ohm.cm - Fm300SOonSIAsa100D0525C1US

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Oblea de óxido térmico: Capa de SiO2 de 300 nm sobre Si (100), 4 "dia x 0,50 mm t, tipo N, dopado con P , 1SP R:1-10 ohm.cm

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Oblea de óxido térmico: Capa de SiO2 de 300 nm sobre Si (100), 4 "dia x 0,5 mm t, tipo P, 2SP, R:1-10 ohm-cm - Fm300SOonSIBa100D0525C2R1US

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Oblea de óxido térmico: Capa de SiO2 de 300 nm sobre Si (100), 4 "dia x 0,5 mm t, tipo P, 1SP R:1-10 ohm.cm

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Oblea de óxido térmico: Capa de SiO2 de 300 nm sobre Si (100), 4 "dia x 0,5 mm t, tipo N, 1SP dopado con As, R:0,001-0,005 ohm.cm

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Oblea de óxido térmico: Capa de SiO2 de 300 nm sobre Si (100), 3 "dia x 0,50 mm t,tipo N no dopado, 1SP R:>1000 ohm.cm

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Oblea de óxido térmico: 300 nm SiO2 Layer on Si (100), 3 "dia x 0.50 mm t, P-type ,B-doped 1SP R:1-10 ohm.cm

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Oblea de óxido térmico: 300 nm SiO2 Layer on Si (100), 2" dia x 0.50 mm t, N type ,As-doped, 1 side polished, R:0.001-0.005 ohm.cm - Fm300SOonSIAsa50D05C

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Oblea de óxido térmico: Capa de SiO2 de 300 nm sobre Si (100), 100 mm diá. x 0,5 mm t, tipo P, 1SP R:0,01-0,05 ohm.cm

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Oblea de óxido térmico: 285 nm SiO2 sobre Si (100), 10 x 10 x 0,5 mm, tipo N ,1SP dopada con P, R:1-10 ohm.cm

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Oblea de óxido térmico: 1000 nm SiO2 Layer on Si (100), 4 "dia x 0.525 mm t, Ptype , 1SP,R:1-20 ohm.cm

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Oblea de óxido térmico: 100 nm SiO2 sobre Si (100), 5x5 x 0,5 mm, tipo N, dopado con As, 1SP, R: 0,001-0,005 ohm.cm

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Oblea de óxido térmico: 100 nm SiO2 sobre Si (100), 10 x 10 x 0,5 mm, tipo N, dopado con As, 1SP, R: 0,001-0,005 ohm.cm