MTI  |  SKU: FmGaNSionALc50D15C1US

Plantilla FLAAT GaN (0001)( N+ ,dopado con Si) sobre Zafiro N+ , 2 "x 15um,1sp - FmGaNSionALc50D15C1US

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Plantilla FLAAT GaN (0001)( N+ ,dopado con Si) sobre Zafiro N+ , 2 "x 15um,1sp - FmGaNSionALc50D15C1US

MTI

  • Grado de investigación , alrededor del 90 % de superficie utilizable
  • Plantilla de GaN, N+, 2" de diámetro
  • Plantilla de GaN FLAAT (capas planas a todas las temperaturas) ( tampón ALN )
  • Plantilla FLAAT de nitruro de galio, N+ (dopada con Si)
  • 2" de diámetro, dopada con Si
  • Polaridad Cara de Ga
  • Concentración de portadores: > 1E18/cm^3
  • Espesor nominal del GaN: 15 um +/- 10 %.
  • Superficie de la cara frontal (tras deposición y pulido): Epi-ready con,
  • Ra< 0,5 nm RMS (datos obtenidos mediante interferómetro de luz blanca )
  • Superficie posterior: Sustrato tal como se recibe
  • Sustrato: Zafiro, 2", plano c 0.20 deg offcut hacia plano m
  • SSP, 430 um
  • Parte trasera: sustrato tal como se recibió
Haga clic en la imagen inferior para ver la estructura FLAAT

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