Plantilla GaN sobre Zafiro(11-02) , 5 x 5 mm x 0,5mm ,1sp, Lámina GaN: 5um - FmGaNonALR050505S1FT5um

La plantilla de GaN sobre zafiro se fabrica mediante un método basado en la epitaxia en fase de vapor de hidruro (HVPE). Durante el proceso HVPE, el HCl reacciona con el Ga fundido para formar GaCl, que a su vez reacciona con NH3 para formar GaN. La plantilla de GaN es una forma rentable de sustituir el sustrato monocristalino de GaN.

Especificaciones

• Tamaño 5mmx5mm
• Sustrato Zafiro, Orientación R (00.1) +/- 1.0 ^o
• Tipo de conducción: tipo n
• Resistividad < 0,5 Ohm-cm
• Acabado de la superficie frontal (Cara Ga) As-grown
• Acabado de la superficie posterior Acabado de zafiro tal como se recibe
• Superficie útil >90
• Área de exclusión de bordes 1 mm
• Envase Envase de oblea individual
• Espesor de la capa de GaN 5 micras , (=/- 10%)

• Haga clic aquí para ver XRD Curva de balanceo de la plantilla de GaN
• Haga clic aquí para ver Dislocación vs Espesor de la plantilla de GaN
• Haga clic aquí para ver RMS de la plantilla de GaN

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