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Núcleo de matriz de engarce para pilas de 3 electrólitos 2032 - M110A6

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Nanopolvo de CrO3 (99,5%, 30-50 nm)

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Calentador de fibra cerámica de crisol: 8 "D.I. x12" O.D. x 10 "H con cubierta, 1100C

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Crisol para sistema de hilatura de masa fundida 160 mm L x 17 mm OD x 14,3 mm ID - TQ22D160

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Válvula solenoide criogénica, 24 VCC, 1/4" hembra NPT, Temp. mín. -195 , EQ-CGSN-Válvula-LD

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Cultivador de cristales por fusión por levitación en vacío - EQ-SKJ-LCZ

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Cultivador de cristales a partir de cuatro electrodos Fusión por arco hasta 3000C - EQ-SKJ-ARC

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CsI (Tl) Sustrato monocristalino 10x10x 1,0 mm, 1sp - CsITl101010S1

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CsI (Tl) Sustrato monocristalino 10x10x 1,0 mm, 2sp

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CsI Bloque monocristalino 10x10x5,0 mm, esmerilado fino - CSI101050SN

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CsPbBr3 sustrato monocristalino (100 ) 10x10x0,5mm, 1sp

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Cu Film on Ta/Silicon Wafer , Cu=100 nm Ta=20nm,,Si(100) B-doped ,10x5x0.525mm,R:1-20 ohm.cm, 1sp

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Cu Film on Ta/Silicon Wafer, Cu=100 nm Ta=20nm,,Si(100) B-doped ,10x10x0.525mm,R:1-20 ohm.cm, 1sp

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Película de Cu sobre Ta/SiO2/ 4 "Oblea de silicio, Cu=100 nm Ta=50nm SiO2=300nm, Si(100) tipo P dopado con B 4 "x0,525mm, 1sp

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Película de Cu sobre Ta/SiO2/ 4 "Oblea de silicio, Cu=400 nm Ta=50nm SiO2=300nm, Si(100) tipo P dopado con B 4 "x0,525mm, 1sp

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Película de Cu sobre Ta/SiO2/ Oblea de silicio, Cu=100 nm Ta=50nm SiO2=300nm, Si(100) tipo P dopado con B 10x10x0.525mm, 1sp

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Película de Cu sobre Ta/SiO2/ Oblea de silicio, Cu=400 nm Ta=50nm SiO2=300nm, Si(100) tipo P dopado con B5x5x0,525mm, 1sp

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Película de Cu sobre Ta/SiO2/Oblea de silicio, Cu=400 nm Ta=50nm SiO2=300nm, Si(100) tipo P dopado con B 10x10x0.525mm, 1sp

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Cu Sustrato metálico ( policristalino) 10x10x0,5mm, 1 cara pulida

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Cu Sustrato metálico ( policristalino) 10x10x1,0mm, 1 cara pulida