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Substrato di cristallo singolo Ga2O3-Beta, <-201> ori, 5x5x0,6mm, 1SP

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Substrato di cristallo singolo Ga2O3-Beta, <010>+/-1 grado ori, 10x10x0,35mm, 2SP, grado di ricerca con "Twin"

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Substrato di cristallo singolo Ga2O3-beta, <010>+/-1 grado ori, 5 x 5 x 0,35 mm, 2SP, grado di ricerca con "Twin"

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Substrato di cristallo singolo Ga2O3-Beta, <100>+/-1 grado tipo N, drogato con Fe 10x10x0,5mm, 1SP

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Substrato di cristallo singolo Ga2O3-Beta, <100>+/-1 grado di tipo N, drogato con Sn 10x10x0,5mm, 1SP

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Ga:ZnO (0001) tipo N+, drogato con Ga, 10x10x0,5 mm, faccia Zn 1sp lucidata

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Orientamento GaAs (100), 2 gradi OFF verso [101] +/- 0,5 gradi, drogato Te, tipo N, diametro 2" x 0,485 mm, 1sp, grado primario - GATea50D0485C1deg2US

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Orientamento GaAs (100), 2 gradi OFF verso [101] +/- 0,5 gradi, drogato Te, tipo N, diametro 2" x 0,5 mm, 1sp, grado primario - GATea50D05C1deg2US

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Orientamento GaAs (100), SI (semi-isolante), non drogato 5x5x 0,5mm, 1sp,

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GaAs (100), tipo N drogato con Te, 5 x 5 x 0,35 mm, 1SP

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Orientamento GaAs (111)A, semi-isolante, non drogato, 10x10x 0,55 mm, 1sp,

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Orientamento GaAs (111)A, semi-isolante, non drogato, 5x5x 0,5-0,55mm, 1sp,

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Orientamento GaAs (111)B, semi-isolante, non drogato, 10x10x 0,625 mm, 1sp,

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Orientamento GaAs (111)B, semi-isolante, non drogato, 5X5x 0,625 mm, 1sp

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GaAs , Metodo di crescita: VGF ,(100) semi-isolato non drogato 10x10 x0,5 mm, 1SP

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GaAs , Metodo di crescita: VGF ,(100) semi-isolato non drogato 10x10 x0,5 mm, 2SP

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GaAs , Metodo di crescita: VGF ,(100) semi-isolato non drogato 10x10 x0,6 mm, 1SP

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GaAs , Metodo di crescita: VGF ,(100) semi-isolato non drogato 10x3 x0,5 mm, 2SP

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GaAs , Metodo di crescita: VGF ,(100) semi-isolato non drogato 10x5 x0,5 mm, 2SP

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GaAs, metodo di crescita: VGF(100) drogato Si, tipo N, diametro 2" x 0,5mm, 2sp, concentrazione portatori: (3,8-6,2) x 10^16 /cm^3