Flusso

MTI

1200 ºC max. Forno per la crescita di soluzioni con seme superiore (TSSG) - VTF-1200X-TSSG

MTI

Forno a 1200 ºC Max a 3 zone per la crescita in soluzione con seme superiore (TSSG) - VTF-1200X-III-TSSG

MTI

Forno di crescita LPE a 5 zone per film YIG (1200C max.) - VTF-1200X-LPE

MTI

Forno di crescita in soluzione con seme superiore (TSSG) a 2200 ºC - VTF-2200X-TSSG

MTI

Forno per la crescita di cristalli epitassiali in fase liquida fino a 1700C - VBF-1700-LPE

MTI

Forno ad alta pressione a doppia zona di riscaldamento orientabile -10 MPa @ 1200°C per la crescita di cristalli GaN - CM-HIP-2-II