Diamante su wafer di ossido (DOI), 5 mm x 5 mm, spessore 2um, 10nm Ra

Specifiche:

• Pellicola: UNCD (diamante ultrananocristallino)
• Dimensioni del wafer: 5x5x0,5 mm
• Orientamento del wafer di silicio: (100) ± 0,5^°
• Strato isolante: SiO₂
• Spessore del film di diamante: 2 micron, non drogato
• Strato di ossido: 1 micron
• Resistività stimata: ~ 10E5 ohm-cm
• Rugosità superficiale: così come cresciuta, RA < 10 nm
•  Confezione: una camera bianca di classe 1000 con sacchetto di plastica di classe 100