Diamante su wafer di silicio (DOS), 5x5 mm, spessore 2 um, Ra 10 nm

Specifiche:

• Dimensioni del wafer: 5 mm x 5 mm x 0,5 mm
• Orientamento del wafer di silicio: (100) ± 0,5^°
• Spessore del film di diamante: 2 micron
• Resistività: 10E3 ~ 10E4 ohm-cm
• Rugosità superficiale: un lato lucidato con CMP con rugosità superficiale < 10 nm

Confezione: una camera bianca di classe 1000 con sacchetto di plastica di classe 100