Diametro 2". Film di InGaAs EPI su InP (SI) (100) depositato tramite MOCVD (InP:Fe) Diametro 2" x0,35mm, 2sp, Film:750 nm
Consegna e spedizione nell'UE
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Nel preventivo aggiungeremo i costi di spedizione, assicurazione e sdoganamento.
Diametro 2". Film di InGaAs EPI su InP (SI) (100) depositato tramite MOCVD (InP:Fe) Diametro 2" x0,35mm, 2sp, Film:750 nm
MTI
Wafer InGaAs EPI su InP (semi-isolante) (100) con diametro di 2", ottenuto mediante deposizione MOCVD
Substrato:
- InP Orientamento: (100)
- Dopato con Fe, semi-isolante
- Dimensioni del wafer: 2" di diametro x 0,35 mm
- Entrambe le facce lucidate
Film EPI:
- Strato di lega In/Ga con reticolo compatibile di InGaAs di tipo N (non drogato)
- Spessore del film: 0,75 um (+/- 20%)
- La rugosità dello strato epi è vicina a 1 monostrato (ML)
- Sul lato posteriore sono possibili alcuni depositi e non è possibile garantire la stessa qualità (rugosità) presente sulla superficie dello strato attivo.
Superficie pronta per l’EPI e imballaggio
Proprietà tipiche
| Dopante | Tipo | Concentrazione dei portatori (cm⁻³) | Mobilità (cm²/V·s) | Resistività (ohm-cm) | EPD (cm⁻²) |
| Non drogato | N | 7,5-9,5 × 10¹⁵ | 4300-4400 | da 1,6E-1 a 4,5E-1 | <5000 |
| Sn | N | 0,5 ~1,0 × 10¹⁸ 0,5 ~ 1,0 × 10¹⁸ | da 200 a 2400 da 1500 a 2000 | da 0,001 a 0,002 da 0,0025 a 0,007 | da 3 a 5 × 10⁴ |
| Zn | P | 0,8 ~ 2,0 × 10¹⁸ da 2,5 a 4,0 × 10¹⁸ | da 2500 a 3500 1300 ~ 1600 | 0,0025 ~ 0,006 | da 1 a 3 × 10⁴ |
| Fe | Semi-isolante | N/A | 1550–1640 | (2,1-2,7) × 10⁷ | <5000 |
