MTI  |  SKU: FmCu100Ta20onSiBa101005S1R1

Film di Cu su wafer di Ta/Silicio, Cu=100 nm Ta=20nm,,Si(100) drogato B, 10x10x0,525mm, R:1-20 ohm.cm, 1sp

€44,85

Consegna e spedizione nell'UE

Nel preventivo aggiungeremo i costi di spedizione, assicurazione e sdoganamento.

Film di Cu su wafer di Ta/Silicio, Cu=100 nm Ta=20nm,,Si(100) drogato B, 10x10x0,525mm, R:1-20 ohm.cm, 1sp

MTI

Specifiche:

  • Wafer di silicio rivestito in rame (dimensioni 10x10 mm)
  • Spessore del film di rame policristallino altamente orientato <111>: 100 nm
  • Spessore della barriera di diffusione in Ta: 20-50 nm
  •   Wafer di silicio (Prime Grade) di spessore 0,525 mm
  • Tipo P, drogato con B, orientamento <100>, SSP
  • Resistività: 1-20 ohm-cm
  • Rugosità superficiale: così come cresciuta, RA < 10 nm
  • Confezione: una camera bianca di classe 1000 con sacchetto di plastica di classe 100
  • 10 pezzi per confezione come ordine minimo
  •  


Torna all’inizio