MTI  |  SKU: FmCu100Ta20onSiBa100505S1R1

Pellicola di Cu su wafer di Ta/Silicio, Cu=100 nm Ta=20nm,,Si(100) B-drogato, 10x5x0.525mm, R:1-20 ohm.cm, 1sp

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Pellicola di Cu su wafer di Ta/Silicio, Cu=100 nm Ta=20nm,,Si(100) B-drogato, 10x5x0.525mm, R:1-20 ohm.cm, 1sp

MTI

Specifiche:

  • Wafer di silicio rivestito in rame (dimensioni 10x5 mm)
  • Spessore del film di rame policristallino altamente orientato <111>: 100 nm
  • Spessore della barriera di diffusione in Ta: 20-50 nm
  • Wafer di silicio (di prima scelta) da 10 × 5 × 0,5 mm di spessore
  • Tipo P, drogato con B, orientamento <100>, SSP
  • Resistività: 1-20 ohm-cm
  • Rugosità superficiale: così come cresciuta, RA < 10 nm
  • Confezione: una camera bianca di classe 1000 con sacchetto di plastica di classe 100
  • 10 pezzi per confezione per l’ordine minimo
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