Templato AlN non drogato su zaffiro(0001) 10x10mmx5000nm

Il modello in AlN su zaffiro viene realizzato mediante un metodo basato sulla deposizione da vapore al plasma di nanocolonne (PVDNC). Il modello in AlN rappresenta una soluzione economicamente vantaggiosa in sostituzione del substrato monocristallino di AlN.

Specifiche

• Dimensioni 10 mm x 10 mm
•  Orientamento del substrato di zaffiro: asse c (0001) +/- 1,0 gradi
• Tipo e drogaggio del film di AlN: Non drogato, semisolante
• Densità dei macro-difetti: <5 cm^⁻²
• Finitura della superficie frontale (faccia Al): così come cresciuto
  
• Finitura della superficie posteriore dello zaffiro: finitura tal quale
•  Superficie utile >90% 
•  Area di esclusione dei bordi 1 mm
•   Confezione Contenitore per singolo wafer
• Spessore dello strato di AlN 5000 nm +/- 5%