Ge Crystal Substrate

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Wafer Ge, tipo N non drogato (100) diametro 3" x 0,5 mm 2 lati lucidati resistività: >50 ohm-cm

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Wafer Ge - tipo N non drogato, diametro 2" x 0,5 mm, 1SP (111), R >50 ohm.cm - GEUc50D05C1R50US

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Wafer Ge non drogato (100) Ø 3" x 0,5 mm 1 lato lucido resistività: >50 ohm-cm - GEUa76D05C1R50US

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Wafer Ge non drogato (110) Ø 3" x 0,5 mm 1 lato lucidato resistività: >50 ohm-cm

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Wafer Ge non drogato (110) Ø 3" x 0,5 mm 2 lati lucidati resistività: >50 ohm-cm

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Wafer Ge(100) . 100 mm di diametro x 0,5 mm, 2SP, tipo P (drogato con Ga) R:1,4-1,7 ohm.cm

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Wafer Ge(100). 100 mm di diametro x 0,5 mm, 2SP, tipo P (drogato Ga) R: 0,004-0,01ohm.cm - GEGaa100D05C2BeR0004US

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Wafer Ge(111) di tipo N non drogato, diametro 2" x 0,5 mm, 2SP R >50 Ohm.cm - GEUc50D05C2R50US

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Wafer VGF-Ge (100) Ø 100 mm x 0,5 mm, 1SP, tipo N (drogato con As), R: 0,088-0,183ohm.cm

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Wafer VGF-Ge (100) Ø 100 mm x 0,5 mm, 2SP, tipo N (drogato con As), R: 0,173-0,25 ohm.cm

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Wafer VGF-Ge (100) con errore di taglio di 6 gradi verso <111> , diametro 100 mm x 0,5 mm, 1SP, tipo P (drogato con Ga), R: 0,3-0,33 Ohm.cm - GEGaa100D05C1deg6VGFR03US

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Wafer VGF-Ge(100) . 100 mmdia x 0,175 mm, 1SP, tipo P (drogato con Ga)

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Wafer VGF-Ge(100) . 100 mmdia x 0,175 mm, 2SP, tipo P (drogato con Ga) R:0,1-0,182 ohm.cm

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Wafer VGF-Ge(100) . 50 mmdia x 0,175 mm, 1SP, tipo P (drogato con Ga) R:0,008-0,021 Ohm.cm

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Wafer VGF-Ge(100) . 50 mmdia x 0,175 mm, 2SP, tipo P (drogato con Ga) R:0,008-0,021 Ohm.cm

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VGF-Ge Wafer(100) Ø 100 mm x 0,5 mm, 1SP, tipo P (drogato con Ga) R:0,128-0,303 Ohm.cm

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VGF-Ge Wafer(100) 100 mm di diametro x 0,5 mm, 2SP, tipo P (drogato con Ga) R:0,128-0,303 Ohm.cm

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Wafer VGF-Ge(100), diametro 100 mm x 0,4 mm, 2SP, tipo P (drogato con Ga), R:0,0038-0,0158 Ohm.cm