MTI
Wafer Si (111) con 4 gradi di disattivazione, diametro 4" x 0,525 mm, 1SP, tipo N (drogato P), resistività: 1-10 ohm-cm
Templato di AlN non drogato su silicio ( Si <111> Tipo P ) 10mmx10mm x 200 nm - FmAlNonSiBc101005S1FT200nm
Templato di AlN non drogato su silicio ( Si <111> Tipo P ) 5mmx5mm x 200 nm - FmAlNonSiBc050505S1FT200nm
Il tuo carrello è vuoto
Subtotale:€0,00 EUR
Caricamento in corso...