Silica on Silicon(Thermal Oxide Wafer)

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Wafer di ossido termico: Strato SiO2 da 100 nm su Si (100), diametro 4" x 0,525 mm, tipo N, drogato P, 1SP R: 0,1-1,0ohm.cm - Fm100SOonSIPa100D0525C1R01US

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Wafer di ossido termico: Strato di 100 nm di SiO2 su Si (100), diametro 4 "x 0,50 mm t, tipo P, drogato B 1SP R:1-10 ohm.cm

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Wafer di ossido termico, strato di SiO2 da 30 nm su Si (100), diametro 2" x 0,50 mm t, tipo N, drogato con As, 1 lato lucidato, R:<0,005 ohm.cm

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Wafer di ossido termico: strato di SiO2 da 300 nm su Si (100) 100 mm diax0,5 mm t, tipo P, 1SP R: 0,001-0,005 ohm.cm

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Wafer di ossido termico: Strato di SiO2 da 300 nm su Si (100), diametro 4" x 0,50 mm t, tipo N non drogato, 1SP R:>5000 ohm.cm