Specialità

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Forno a vuoto verticale 1100C Max con flangia (camera al quarzo da 8" OD) - VBF-1200X-V9

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Forno di pressatura rapida sotto vuoto fino a 1600C e 50 Mpa con stampo in grafite da 0,5" - OTF-1700X-RHP4

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Forno di riscaldamento e pressatura ultraveloce (UHP) fino a 2900°C e 500 kgf con vuoto ultraelevato - RTP-MS

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Deposizione chimica in fase di vapore potenziata con plasma ad alto vuoto (tipo CCP) - VTC-PECVD

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Dispositivo di controllo e smaltimento dei gas infiammabili - GSL-KR200

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Forno di tempra compatto ad atmosfera controllata - Tubo da 2" OD e 1100C max. - GSL-1100X-S-VTQ

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Forno compatto per pressatura isostatica a caldo (HIP) (80IDx130H mm) Max.1500C fino a 20 Mpa con box di sicurezza scorrevole - CM-HIP-3

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Forno compatto a tubi di gas ad alta pressione (HIP) con ID 12 o 20 mm. fino a 1100C-OTF-1200X-S-HP-30A

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Forno RTP controllato in atmosfera per wafer da 8" fino a 1000 °C - VBF-1050X-H8

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Reattore ad alta pressione in superlega da 300 ml (ID 35 mm) fino a 1100C. - GSL-1100X-RC-NI300

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Forno CSS e RTP a 950°C max con supporto rotante per wafer da 12" - OTF-1200X-RTP-II-CSS-300

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800? Forno di fusione e tempra rapida dalla fase liquida al Ga Melt-QF-800

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800°C max. Forno CSS e RTP con supporto rotante per wafer 5x5" - RTP-II-5-R

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2800ºC max. Forno elettrolitico riscaldato a induzione con elettrodi mobili - VEF-2800

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Forno elettrolitico 1700C con tubo di allumina da 80 mm e 3 elettrodi di grafite - VEF-1700