MTI  |  SKU: GAUa101005S2US

GaAs , Metodo di crescita: VGF ,(100) semi-isolato non drogato 10x10 x0,5 mm, 2SP

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GaAs , Metodo di crescita: VGF ,(100) semi-isolato non drogato 10x10 x0,5 mm, 2SP

MTI

    • GaAs wafer a cristallo singolo
    • Metodo di crescita: VGF
    • Orientamento: (100)
    • Dimensioni: 10x10 x 0,5 mm 
    • Lucidatura: due lati lucidati;
    •  Ra (ruvidità media): < 0,4 nm
    • Doping: non drogato
    • Tipo di conduttore: Semi-isolante
    • Resistività: (0,6-2,0)E8 Ohm.cm
    • Mobilità: 5350-6380 cm^2/v.s.
    • EPD: <5000/cm2

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