MTI  |  SKU: GAUe101005S1US

GaAs, VGF cresciuto (110) oi. non drogato, 10x10x0,5mm, 1sp

€74,69

Consegna e spedizione nell'UE

Nel preventivo aggiungeremo i costi di spedizione, assicurazione e sdoganamento.

GaAs, VGF cresciuto (110) oi. non drogato, 10x10x0,5mm, 1sp

MTI

  • Wafer di cristallo singolo di GaAs
  • Metodo di crescita: VGF
  • Orientamento: (110)
  • Dimensione: 10x10x0,5 mm 
  • Lucidatura: Un lato lucidato
  • Doping: non drogato
  • Tipo di conduttore: S-I
  • Mobilità: 3990-5030 cm^2/V.S
  • Resistività:( 2,5-5,1)x10^8 ohm.cm
  • Ra (ruvidità media) : < 0,4 nm


Prodotti correlati

Altro GaAs


 		InSb

 		Altro InAs

 		 InP 


 		GaSb

 		Scatola per wafer

 Rivestitore di film

 Forni RTP
Torna all’inizio