LaAlO3,(100) ori 10x10x 0,5mm substrato, 1 SP - LAOa101005S1

Il monocristallo di LaAlO₃ presenta una buona compatibilità reticolare con molti materiali a struttura perovskitica. È un substrato eccellente per la crescita epitassiale di superconduttori ad alta temperatura critica (Tc) e di film sottili magnetici e ferroelettrici. Le proprietà dielettriche del cristallo di LaAlO₃ sono particolarmente adatte per applicazioni a microonde a bassa perdita e di risonanza dielettrica.

Specifiche del substrato:

• Dimensioni del wafer: 10 x 10 x 0,5 mm di spessore +/-0,05 mm,
• Orientamento del wafer: (100) ±0,5 gradi 
• Lucidatura: Lucidatura CMP su un lato senza danni sub-superficiali. 
• Finitura superficiale (RMS o Ra): < 10 A
• Confezione: In camera bianca di classe inferiore a 1000, in un sacchetto di plastica di grado 100 all’interno di un contenitore per wafer.
• Costante di reticolo: a = 3,792 Å, pseudocubico
• Avvertenza: Il cristallo di LaAlO₃ presenta un gemello visibile sulla superficie levigata, il che è del tutto normale; si veda l’immagine qui sotto
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Proprietà fisiche tipiche

Struttura cristallina

 
Pseudocubica a=3,792 Å

Metodo di crescita

Czochralski

Densità

6,52 g/cm³

Punto di fusione

2080 ^°C        

Espansione termica

 10 (×10⁻^⁶/^°C)

Costante dielettrica

~ 25 

Tangente di perdita a 10 GHz

~3×10⁻⁴ a 300 K, ~0,6×10⁻^⁴ a 77 K

Colore e aspetto

Da trasparente a marrone a seconda delle condizioni di ricottura. Gemellature visibili sul substrato lucidato

Stabilità chimica

Insolubile negli acidi minerali a 25 ^°C e solubile in H₃PO₃ a > 150 ^°C