MTI  |  SKU: BTb050501US

Substrato di cristallo Bi2Te3 altamente orientato (001) di forma irregolare (circa 5x5x0,1 mm) come Cleaved - BT-050501

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Substrato di cristallo Bi2Te3 altamente orientato (001) di forma irregolare (circa 5x5x0,1 mm) come Cleaved - BT-050501

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Il substrato cristallino di tellururo di bismuto è un cristallo altamente orientato (non monocristallino), ovvero un semiconduttore a strati con banda proibita stretta e struttura esagonale.  La struttura delle bande di valenza e di conduzione può essere descritta come un modello a molti ellissoidi, con 6 ellissoidi a energia costante centrati sui piani di riflessione. Tra i materiali termoelettrici generici, il fattore termoelettrico è attualmente il più elevato tra i blocchi in fase pura; la dissociazione meccanica consente di ottenere materiale isolante topologico di alta qualità.
  
Specifiche:
  • Struttura: Esagonale, gruppo 166R-3M
  • Metodo di crescita: Bridgman verticale ad alta pressione
  • Costante reticolare: a=4,38 A c=30,5 A
  • Orientamento del substrato: struttura a strati altamente orientata lungo <0001>
  • Superficie: come da spaccatura
  • Purezza: 99,999%, rapporto atomico,
  • Punto di fusione 585 °C
  • Resistività: 0,1-5 mΩ·cm
  • Mobilità: 3000 cm²/V·s 
  • Dimensioni generali: forma irregolare, circa 5 mm x 5 mm x 0,1 mm,
  • Confezione: confezionato in sacchetto di plastica sottovuoto

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