Substrato di cristallo singolo Ga2O3-beta, <010>+/-1 grado ori, 5 x 5 x 0,35 mm, 2SP, grado di ricerca con "Twin"

Specifiche del substrato:

• Composizione chimica: ß-Ga₂O₃ 
  
• Metodo di crescita: Czochralski 
• Struttura: Monoclina
• Costanti reticolari: a=12,23 A, b=3,04 A, c=5,80 A, ß=103,7°
• Orientamento: <010> +/-1°  
• Dimensioni: 5 x 5 x 0,35 mm
• Tipo di conduzione: semisolante, drogato con Fe
• Densità di drogaggio (Fe): ~5E17 secondo SIMS.
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  Finitura della superficie frontale: Epi-lucidata, RMS <0,5 nm Finitura della superficie posteriore: Lucidata otticamente