VGF InP (100) drogato con Fe, wafer da 2" x0,35 mm, 1sp - IPFea50D035C1US

Wafer monocristallino di InP con VGF Orientamento: (100)
Dimensioni: 2" di diametro x 0,35 mm
Doping: Dopato
con Fe Tipo di conduzione:                                     semi-isolante
Resistività:                                              (1,96-5,15) E7 ohm·cm
Mobilità: 2200-2560 cmE²/V·s
EPD:                                                      <5000 /cm²
Lucidatura: lucidato su un lato