Caricamento in corso...
MTI | SKU:
IPZna50D035C1US
VGF InP (100) drogato Zn, 2" x 0,35 mm, wafer, 1sp
Prezzo normale
€940,29
Prezzo unitario
Consegna e spedizione nell'UE
Consegna e spedizione nell'UE
Nel preventivo aggiungeremo i costi di spedizione, assicurazione e sdoganamento.
VGF InP (100) drogato Zn, 2" x 0,35 mm, wafer, 1sp
MTI
Wafer monocristallino di InP
Metodo di crescita: VGF
Orientamento: (100)
Dimensioni: 2" di diametro x 0,35 mm
Doping: Dopato
con Zn Tipo di conduzione: S-C
Lucidatura: Lucidato
su un lato Resistività: (5,61-6,84)E-2 ohm·cm
Mobilità: 81-85 cmE²/V·s
EPD: < 5000 /cm²
Concentrazione dei portatori: (1,09-1,37) E¹⁸ /cm³
Ra (rugosità media): < 0,4 nm
Orientamento: (100)
Dimensioni: 2" di diametro x 0,35 mm
Doping: Dopato
con Zn Tipo di conduzione: S-C
Lucidatura: Lucidato
su un lato Resistività: (5,61-6,84)E-2 ohm·cm
Mobilità: 81-85 cmE²/V·s
EPD: < 5000 /cm²
Concentrazione dei portatori: (1,09-1,37) E¹⁸ /cm³
Ra (rugosità media): < 0,4 nm
