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VGF -InP (100) non drogato 5x5x0,35mm, 1sp

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VGF -InP (100) non drogato 5x5x0,35mm, 1sp

MTI

Wafer monocristallino di InP

Orientamento: (100)
Dimensioni: 5 x 5 x 0,35 mm
Doping: Non drogato
Tipo di conduzione: N
Lucidatura:                          Lucidato
su un lato Mobilità: 3500-4500 cm²/V·s
EPD:                            <6000 /cm²
Concentrazione dei portatori: 3×10¹⁶ /cm³

 

Proprietà tipiche

Dopante

Tipo

Concentrazione dei portatori

(cm⁻³)

Mobilità

(cm²/V·s)

Resistività

(ohm-cm)

EPD

(cm⁻²)

Non drogato

N

7,5-9,5 × 1

4300-4400

da 1,6E-1 a 4,5E-1

<5000

Sn

N

0,5 ~1,0 × 10¹⁸

0,5 ~ 1,0 × 10¹⁸

da 200 a 2400

da 1500 a 2000

da 0,001 a 0,002

da 0,0025 a 0,007

da 3 a 5 × 10

Zn

P

0,8 ~ 2,0 × 10¹⁸

da 2,5 a 4,0 × 10¹⁸

da 2500 a 3500

1300 ~ 1600

0,0025 ~ 0,006

da 1 a 3 × 10

Fe

Semi-isolante

N/A

1550–1640

(2,1-2,7) × 10⁷

<5000